DMN3007LSS-13 与 IRF7456TRPBF 区别
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规格信息
型号	DMN3007LSS-13	IRF7456TRPBF
唯样编号	A3-DMN3007LSS-13	A-IRF7456TRPBF
制造商	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8	Single N-Channel 20 V 2.5 W 41 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表	DMN3007LSS-13.pdf	IRF7456TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	7mΩ@15A,10V	6.5mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds	30V	20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	2.5W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±12V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SOP	8-SO
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	16A	16A
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250µA	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2714pF @ 15V	3640pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	64.2nC @ 10V	62nC @ 5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	2.8V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	3640pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	62nC @ 5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A	暂无价格	当前型号
IRF7842PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	N-Channel 40V 18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 5mΩ@17A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SO	暂无价格	对比
IRF7455TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7832PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO	暂无价格	对比
IRF8113TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 5.6mΩ@17.2A,10V N-Channel 30V 17.2A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7456TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 6.5mΩ@16A,10V N-Channel 20V 16A 8-SO	暂无价格	对比