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DMN3009SK3-13  与  IRFR3709Z  区别

型号 DMN3009SK3-13 IRFR3709Z
唯样编号 A3-DMN3009SK3-13 A-IRFR3709Z
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@30A,10V 6.5mΩ@15A,10V
上升时间 4.1ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 44W 79W(Tc)
Qg-栅极电荷 42nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A 86A(Tc)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 15ns -
典型接通延迟时间 3.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 15V 2330pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.4702
100+ :  ¥2.1032
1,000+ :  ¥1.5579
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥3.4702 

阶梯数 价格
1: ¥3.4702
100: ¥2.1032
1,000: ¥1.5579
0 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

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¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
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