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DMN3009SK3-13  与  SPD50N03S2L06T  区别

型号 DMN3009SK3-13 SPD50N03S2L06T
唯样编号 A3-DMN3009SK3-13 A-SPD50N03S2L06T
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@30A,10V -
上升时间 4.1ns -
Qg-栅极电荷 42nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2530pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 15ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 44W -
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 85uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 3.9ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.4702
100+ :  ¥2.1032
1,000+ :  ¥1.5579
暂无价格
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