DMN6068LK3-13 与 STD16NF06T4 区别
| 型号 | DMN6068LK3-13 | STD16NF06T4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN6068LK3-13 | A3-STD16NF06T4 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 68mΩ | - |
| 上升时间 | 10.8ns | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 8.49W | - |
| Qg-栅极电荷 | 10.3nC | - |
| 栅极电压Vgs | 1V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 11.9ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 19.7S | - |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 8.5A | - |
| 系列 | DMN6068 | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 502pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.3nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | 8.7ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 3.6ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 30,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 |
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
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IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 27 | 对比 |
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 15 | 对比 |
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