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功率MOSFET   DPAK

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制造商编号 DMN6068LK3-13
制 造 商 Diodes(达尔(美台))
唯样编号 A3-DMN6068LK3-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 DPAK
连续漏极电流Id 8.5A
Pd-功率耗散(Max) 8.49W
Qg-栅极电荷 10.3nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ
漏源极电压Vds 60V
栅极电压Vgs 1V
上升时间 10.8ns
下降时间 8.7ns
典型关闭延迟时间 11.9ns
典型接通延迟时间 3.6ns
正向跨导 - 最小值 19.7S
系列 DMN6068
通道数量 1Channel
配置 Single
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