DMN6068LK3Q-13 与 IRLR024NTRPBF 区别
| 型号 | DMN6068LK3Q-13 | IRLR024NTRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN6068LK3Q-13 | A-IRLR024NTRPBF | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ@10A,10V | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 45W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±16V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | - | D-Pak | ||
| 连续漏极电流Id | 8.5A(Ta) | 17A | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 480pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 5V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 480pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN6068LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A(Ta) 车规 |
￥1.2978
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥4.705
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1,896 | 对比 | ||||||||||||||
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IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
|
AUIRLR024NTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 17A(Tc) ±16V 45W(Tc) 65mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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