DMN6068LK3Q-13 与 TK8S06K3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | DMN6068LK3Q-13 | TK8S06K3L(T6L1,NQ) | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-DMN6068LK3Q-13 | A33-TK8S06K3L(T6L1,NQ)-2 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Toshiba | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60 V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 25W(Tc) | ||||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 54 毫欧 @ 4A,10V | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 400 pF @ 10 V | ||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10 nC @ 10 V | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | DPAK+ | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.5A(Ta) | 8A(Ta) | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | 175°C(TJ) | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,896 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN6068LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A(Ta) 车规 |
￥1.2978
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥4.705
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1,896 | 对比 | ||||||||||||||
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IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AUIRLR024NTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 17A(Tc) ±16V 45W(Tc) 65mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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