FDC6333C 与 DMG6601LVT-7 区别
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规格信息
型号	FDC6333C	DMG6601LVT-7
唯样编号	A3-FDC6333C	A-DMG6601LVT-7
制造商	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6	N & P-Channel 30 V 110 mO Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
数据表	FDC6333C.pdf	DMG6601LVT-7.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	95m Ohms@2.5A,10V	55mΩ,110mΩ
上升时间	-	7.4ns,4.6ns
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	700mW	1.3W
Qg-栅极电荷	-	12.3nC,13.8nC
栅极电压Vgs	-	500mV,400mV
典型关闭延迟时间	-	31.2ns,18.3ns
FET类型	N+P-Channel	N-Channel
封装/外壳	SuperSOT	TSOT-26
连续漏极电流Id	2.5A/2A	3.8A,2.5A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	PowerTrench®	DMG6601
通道数量	-	2Channel
配置	-	Dual
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	282pF @ 15V	422pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	6.6nC @ 10V	12.3nC @ 10V
下降时间	-	15.6ns,2.2ns
典型接通延迟时间	-	1.6ns,1.7ns
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FDC6333C	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A	暂无价格	当前型号
DMG6602SVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A	暂无价格	对比
DMG6602SVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A	暂无价格	对比
DMG6601LVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel	暂无价格	对比
DMG6601LVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel	暂无价格	对比