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IRLML6302TRPBF  与  AO3423  区别

型号 IRLML6302TRPBF AO3423
唯样编号 A3-IRLML6302TRPBF A-AO3423
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 37
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@610mA,4.5V 92mΩ@-2A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 118mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 166mΩ
Qgd(nC) - 0.9
栅极电压Vgs ±12V ±12V
Td(on)(ns) - 11
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 0.78A -2A
Ciss(pF) - 325
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 97pF @ 15V -
Trr(ns) - 6.1
Td(off)(ns) - 8
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 1.4
VGS(th) - -1.2
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 97pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.45V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.45V -
Coss(pF) - 63
Qg*(nC) - 3.2
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT23

¥0.7526 

阶梯数 价格
10: ¥0.7526
100: ¥0.5575
1,000: ¥0.4322
1,500: ¥0.3543
3,000: ¥0.3135
400 对比
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

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AO3423 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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