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NDS332P  与  AO3403  区别

型号 NDS332P AO3403
唯样编号 A3-NDS332P A-AO3403
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20V 0.3O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 20
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V 115mΩ@-2.6A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 150mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 200mΩ
Qgd(nC) - 1 Ohms
栅极电压Vgs ±8V ±12V
Td(on)(ns) - 6
封装/外壳 SuperSOT SOT-23-3
连续漏极电流Id 1A -2.6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 260
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V -
Trr(ns) - 11.5
Td(off)(ns) - 20
漏源极电压Vds 20V -30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - -1.4
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 37
Qg*(nC) - 2.8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS332P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

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