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NDS332P  与  XP152A12C0MR  区别

型号 NDS332P XP152A12C0MR
唯样编号 A3-NDS332P A-XP152A12C0MR
制造商 ON Semiconductor Torex Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20V 0.3O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3 MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 500mW(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) - 2.5V,4.5V
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SuperSOT SOT-23
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) - 300 毫欧 @ 400mA,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
连续漏极电流Id 1A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V -
漏源电压(Vdss) - 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) - 700mA(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V 180pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS332P ON Semiconductor 通用MOSFET

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