R8008ANX 与 STFU9N65M2 区别
| 型号 | R8008ANX | STFU9N65M2 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R8008ANX | A-STFU9N65M2 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.03Ω@4A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 800V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220FP-3 |
| 连续漏极电流Id | 8A(Ta) | - |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1080pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 600 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 600 | 当前型号 |
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STF7NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 73,000 | 对比 |
|
AOTF10N65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 650V 30V 10A 50W 1000mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
STF8N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STFU9N65M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPA80R1K2P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 4.5A(Tc) ±20V 25W(Tc) 1.2Ω@1.7A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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