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RS6G120BGTB1  与  SI4840BDY-T1-GE3  区别

型号 RS6G120BGTB1 SI4840BDY-T1-GE3
唯样编号 A3-RS6G120BGTB1 A-SI4840BDY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE N-Channel 40 V 0.009 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 9mΩ
漏源极电压Vds 40V 3V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Ta),6W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 19A
系列 - SI4
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 100 2,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥4.504
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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