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RS6G120BGTB1  与  SI4124DY-T1-GE3  区别

型号 RS6G120BGTB1 SI4124DY-T1-GE3
唯样编号 A3-RS6G120BGTB1 A3-SI4124DY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
功率耗散Pd 104W -
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A -
漏源极电压Vds 40V -
导通电阻Rds(On) 1.34mΩ@90A,10V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 100 2,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

暂无价格 100 当前型号
NTMFS5C430NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel

暂无价格 200,000 对比
NTMFS5C430NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
750: ¥1.727
1,500: ¥1.65
15,444 对比
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

暂无价格 9,000 对比
SI4124DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 对比
NTMFS5C442NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥2.1692 

阶梯数 价格
30: ¥2.1692
100: ¥1.655
750: ¥1.4493
1,500: ¥1.3838
1,500 对比

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