RS6G120BGTB1 与 NTMFS5C430NT1G 区别
| 型号 | RS6G120BGTB1 | NTMFS5C430NT1G | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6G120BGTB1 | A36-NTMFS5C430NT1G | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 120A | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.34mΩ@90A,10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 100 | 1,439 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||||||
|
NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
￥2.761
|
25,435 | 对比 | ||||||||||
|
|
NTMFS5C430NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||
|
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
NTMFS5C442NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
￥2.596
|
1,500 | 对比 | ||||||||||
|
|
NTMFS5C430NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
￥2.893
|
1,439 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
