RS6N120BHTB1 与 NTMFS6H852NLT1G 区别
| 型号 | RS6N120BHTB1 | NTMFS6H852NLT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6N120BHTB1 | A-NTMFS6H852NLT1G-1 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | HSOP8 | DFN-5(5.9x4.9) |
| 连续漏极电流Id | ±135A | 42A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3m Ohms | 13.1mΩ@10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 54W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 130 | 4,500 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 当前型号 |
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NTMFS6H852NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
13.1mΩ@10A,10V ±20V DFN-5(5.9x4.9) -55°C~175°C 42A 80V 54W N-Channel |
暂无价格 | 4,500 | 对比 |
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SIR826LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.3A(Ta),86A(Tc) N-Channel 5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 110 | 对比 |
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
暂无价格 | 90 | 对比 |
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SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 5.5 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 80 | 对比 |
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SIR680DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
100A(Tc) N-Channel 2.9 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 80V |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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