RS6N120BHTB1 与 SI7852DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6N120BHTB1 | SI7852DP-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6N120BHTB1 | A36-SI7852DP-T1-GE3-1 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 104W | 1.9W(Ta) | ||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | HSOP8 | SOIC-8 | ||
| 连续漏极电流Id | ±135A | 7.6A(Ta) | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 系列 | - | SI | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA(最小) | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 3.3m Ohms | 16.5mΩ@10A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA(最小) | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 130 | 98 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTMFS6H818NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 100,000 | 对比 | ||||||||||||
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SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel PowerPAK SO-8 |
￥10.62
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
￥10.3488
|
98 | 对比 | ||||||||||||
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NTMFS6H818NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.7mΩ@20A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 123A 80V 136W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIR586DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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