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RS6N120BHTB1  与  NTMFS6H818NT1G  区别

型号 RS6N120BHTB1 NTMFS6H818NT1G
唯样编号 A3-RS6N120BHTB1 A-NTMFS6H818NT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 SO-8FL
功率耗散Pd 104W 136W
连续漏极电流Id ±135A 123A
工作温度 - -55°C~175°C
漏源极电压Vds 80V 80V
导通电阻Rds(On) 3.3m Ohms 3.7mΩ@20A,10V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 130 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 130 当前型号
NTMFS6H818NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 100,000 对比
SIR120DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel PowerPAK SO-8

¥10.62 

阶梯数 价格
5: ¥10.62
100: ¥9.24
750: ¥8.388
1,500: ¥8.064
3,000: ¥7.8
3,000 对比
SI7852DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V

¥10.3488 

阶梯数 价格
5: ¥10.3488
98 对比
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

3.7mΩ@20A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 123A 80V 136W N-Channel

暂无价格 0 对比
FDS3590 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

6.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 39m Ohms@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 80V 6.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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