RS6N120BHTB1 与 FDS3590 区别
| 型号 | RS6N120BHTB1 | FDS3590 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6N120BHTB1 | A3t-FDS3590 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | N-Channel 80 V 39 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 104W | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSOP8 | 8-SOIC |
| 连续漏极电流Id | ±135A | 6.5A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1180pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 3.3m Ohms | 39m Ohms@6.5A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 130 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTMFS6H818NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 100,000 | 对比 | ||||||||||||
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SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel PowerPAK SO-8 |
￥10.62
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
￥10.3488
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98 | 对比 | ||||||||||||
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FDS3590 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 39m Ohms@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 80V 6.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIR586DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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