RS6P060BHTB1 与 SI4058DY-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6P060BHTB1 | SI4058DY-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-RS6P060BHTB1 | A36-SI4058DY-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||||
| 功率耗散Pd | 73W | 5.6W(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 10.3A(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 10.6mΩ@60A,10V | 26 mOhms @ 10A,10V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 2.8V @ 250uA | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 100 | 6,349 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC098N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.64
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6,349 | 对比 | ||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
￥6.666
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2,990 | 对比 |
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