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RSQ020N03TR  与  DMG6402LDM-7  区别

型号 RSQ020N03TR DMG6402LDM-7
唯样编号 A3-RSQ020N03TR A3-DMG6402LDM-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 134mΩ@2A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 600mW(Ta) 1.12W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 404 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.2 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 SOT-26
连续漏极电流Id 2A(Ta) 5.3A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.1nC @ 5V -
库存与单价
库存 100 12,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 当前型号
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

暂无价格 21,000 对比
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

暂无价格 12,000 对比
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-6

暂无价格 0 对比
AO6402A AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.6674 

阶梯数 价格
490: ¥1.6674
1,000: ¥1.312
1,500: ¥1.0261
3,000: ¥0.8004
0 对比

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