RUM001L02T2CL 与 VT6K1T2CR 区别
| 型号 | RUM001L02T2CL | VT6K1T2CR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RUM001L02T2CL | A3-VT6K1T2CR |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | RUM001L02 Series 20 V 3.5 Ohm 100 mA N-Ch. Small Signal Mosfet - SOT-723 (VMT3) | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5Ω@100mA,4.5V | 3.5Ω |
| 上升时间 | - | 4ns |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW(Ta) | 150mW |
| 栅极电压Vgs | ±8V | 300mV |
| 典型关闭延迟时间 | - | 20ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | VMT | VMT-6 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 0.1A | 100mA |
| 系列 | - | VT6K1 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 100µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7.1pF @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.2V,4.5V | - |
| 下降时间 | - | 38ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 5ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 69,603 | 100 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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RUM001L02T2CL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 150mW(Ta) 3.5Ω@100mA,4.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.1A |
暂无价格 | 69,603 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥2.3286
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8,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6K1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100mA 150mW 3.5Ω 20V 300mV VMT-6 -55°C~150°C |
￥0.6166
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932 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥2.3286
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250 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6K1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100mA 150mW 3.5Ω 20V 300mV VMT-6 -55°C~150°C |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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