SI4124DY-T1-GE3 与 RS6G120BGTB1 区别
| 型号 | SI4124DY-T1-GE3 | RS6G120BGTB1 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-SI4124DY-T1-GE3 | A33-RS6G120BGTB1-0 | ||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 104W | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 120A | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1.34mΩ@90A,10V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 1,474 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS4470 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.5A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDS8842NZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 7m Ohms@14.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 14.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDS8842NZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 7m Ohms@14.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 14.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.4134
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2,489 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥15.514
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1,474 | 对比 |
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