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STB11NM60T4  与  IPB65R420CFD  区别

型号 STB11NM60T4 IPB65R420CFD
唯样编号 A3-STB11NM60T4 A-IPB65R420CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 420mΩ
上升时间 - 7ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 83.3W
Qg-栅极电荷 - 32nC
栅极电压Vgs - 30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8.7A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 8ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 870pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 340µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 6,000 当前型号
IPB65R420CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R420CFDATMA1_10mm

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AOB7S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

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R6009KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

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