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STB11NM60T4  与  R6009KNJTL  区别

型号 STB11NM60T4 R6009KNJTL
唯样编号 A3-STB11NM60T4 A-R6009KNJTL
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
连续漏极电流Id - 9A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 535mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 94W(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 540pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16.5nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±20V
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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