STB11NM60T4 与 R6009KNJTL 区别
| 型号 | STB11NM60T4 | R6009KNJTL | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STB11NM60T4 | A33-R6009KNJTL | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A(Tc) | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 535mΩ@2.8A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 94W(Tc) | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 540pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 16.5nC @ 10V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 16,000 | 90 | ||||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 16,000 | 当前型号 | ||||||
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R6009KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 94W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||
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R6009KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 94W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥7.4264
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90 | 对比 | ||||||
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R6009KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 94W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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