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STB28NM60ND  与  IPB60R190C6ATMA1  区别

型号 STB28NM60ND IPB60R190C6ATMA1
唯样编号 A3-STB28NM60ND A-IPB60R190C6ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 151W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 630uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 9.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥35.2095 

阶梯数 价格
1: ¥35.2095
100: ¥20.3511
1,000: ¥12.9026
100 对比
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 对比
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IPB60R190C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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