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STB28NM60ND  与  TK20G60W,RVQ  区别

型号 STB28NM60ND TK20G60W,RVQ
唯样编号 A3-STB28NM60ND A-TK20G60W,RVQ
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 165W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 155 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1680 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 1mA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 48 nC @ 10 V
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Ta)
FET功能 - 超级结
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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