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STB60NF06T4  与  IRFZ44VZSPBF  区别

型号 STB60NF06T4 IRFZ44VZSPBF
唯样编号 A3-STB60NF06T4 A-IRFZ44VZSPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 92W
晶体管配置 -
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
封装/外壳 TO-263-3 -
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 57A
系列 - HEXFET
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
典型接通延迟时间 - 14 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 35 ns
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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阶梯数 价格
210: ¥6.7795
400: ¥5.7453
800: ¥5.2709
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