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STB6N60M2  与  AOB4S60L  区别

型号 STB6N60M2 AOB4S60L
唯样编号 A3-STB6N60M2 A-AOB4S60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 D2PAK TO-263(D?Pak)
连续漏极电流Id - 4A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900 mΩ @ 2A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W(Tc)
栅极电荷Qg - 6nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 13,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 对比

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