STB6N60M2 与 R6004ENJTL 区别
| 型号 | STB6N60M2 | R6004ENJTL | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STB6N60M2 | A-R6004ENJTL | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 900mΩ@1.5A,10V | ||
| 上升时间 | - | 22ns | ||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 58W | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 15nC | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 55ns | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 | ||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||
| 系列 | - | SuperJunction-MOSEN | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 下降时间 | - | 40ns | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 22ns | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 13,000 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 13,000 | 当前型号 | ||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥4.6475
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40 | 对比 | ||||
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FQB8N60CTM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
4A 58W 900mΩ@1.5A,10V 600V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C N-Channel |
￥4.3805
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0 | 对比 |
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