STF10NM60N 与 AOTF12N60 区别
| 型号 | STF10NM60N | AOTF12N60 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STF10NM60N | A-AOTF12N60 |
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 13 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@4A,10V | 550mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 17.9 |
| 栅极电压Vgs | ±25V | 30V |
| Td(on)(ns) | - | 39 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220F |
| 连续漏极电流Id | 10A(Tc) | 12A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 1751 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 540pF @ 50V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 311 |
| Td(off)(ns) | - | 122 |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W(Tc) | 50W |
| Qrr(nC) | - | 5200 |
| VGS(th) | - | 4.5 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 164 |
| Qg*(nC) | - | 40* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 127,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF10NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 10A(Tc) ±25V 25W(Tc) 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 127,000 | 当前型号 |
|
AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPA80R450P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A(Tc) ±20V 29W(Tc) 450mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOTF7S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 7A 34W 600mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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