STF10NM60N 与 IPA80R450P7 区别
| 型号 | STF10NM60N | IPA80R450P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STF10NM60N | A-IPA80R450P7 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@4A,10V | 450mΩ@4.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W(Tc) | 29W(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | 770pF @ 500V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | 24nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | PG-TO220-3 |
| 连续漏极电流Id | 10A(Tc) | 11A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | CoolMOS™ |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 3.5V @ 220µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 540pF @ 50V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 127,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF10NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 10A(Tc) ±25V 25W(Tc) 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 127,000 | 当前型号 |
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AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPA80R450P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 11A(Tc) ±20V 29W(Tc) 450mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOTF7S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 7A 34W 600mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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