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STP18N60DM2  与  IPP60R330P6  区别

型号 STP18N60DM2 IPP60R330P6
唯样编号 A3-STP18N60DM2 A-IPP60R330P6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 12A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 297mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 93W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 33ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 12A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSP6
长度 - 10mm
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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