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STP18N60M2  与  IPP60R299CP  区别

型号 STP18N60M2 IPP60R299CP
唯样编号 A3-STP18N60M2 A-IPP60R299CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 13A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 270mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 96W
Qg-栅极电荷 - 29nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id - 11A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 10mm
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP18N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 1,000 当前型号
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