首页 > 商品目录 > > > > STP18N60M2代替型号比较

STP18N60M2  与  TK12E60W,S1VX  区别

型号 STP18N60M2 TK12E60W,S1VX
唯样编号 A3-STP18N60M2 A-TK12E60W,S1VX
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 13A TO220 MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 300 毫欧 @ 5.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 890 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 600uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220 TO-220
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11.5A(Ta)
FET功能 - 超级结
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP18N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 1,000 当前型号
AOT20C60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IPP60R280E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R280E6XKSA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPP60R299CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R299CPXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比
TK12E60W,S1VX Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IPA60R299CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R299CP_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售