STP24N60DM2 与 IPP60R190P6 区别
| 型号 | STP24N60DM2 | IPP60R190P6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP24N60DM2 | A-IPP60R190P6 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200mΩ@9A,10V | 190mΩ |
| 上升时间 | - | 8ns |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 150W(Tc) | 151W |
| Qg-栅极电荷 | - | 37nC |
| 栅极电压Vgs | ±25V | 10V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 45ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 18A | 20.2A |
| 系列 | FDmesh™ II Plus | CoolMOSP6 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1055pF @ 100V | - |
| 长度 | - | 10mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 7ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP24N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AOT20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOT27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SPP20N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPP60R190P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 20.2A 190mΩ 10V 151W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IPP65R150CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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