| 制造商编号 | SPP20N60C3 |
|---|---|
| 商品别名 | SPP20N60C3HKSA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-SPP20N60C3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 功率耗散Pd | 208W | |
| 高度 | 15.65mm | |
| 长度 | 10mm | |
| 系列 | CoolMOSC3 | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 下降时间 | 4.5ns | |
| 上升时间 | 5ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 67ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10ns | |
| Moisture Level | NA | |
| RthJC max | 0.6 K/W | |
| QG (typ @10V) | 87.0 nC | |
| 封装/外壳 | TO-220 | |
| Rth | 0.6 K/W | |
| QG | 87.0nC | |
| 连续漏极电流Id | 20.7A | |
| Budgetary Price €/1k | 1.89 | |
| Ptot max | 156.0W | |
| Ptot max | 156.0 W | |
| FET类型 | N-Channel | |
| IDpuls max | 62.1 A | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| RthJA max | 62.0K/W | |
| Mounting | THT | |
| RthJC max | 0.6K/W | |
| RthJA max | 62.0 K/W | |
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V | |
| 导通电阻Rds(On) | 190mΩ | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
19W
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| 起订量： 500 | 倍数：1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SI7617DN-T1-GE3 | 300,000 |
| PJA3413-AU_R1_000A1 | 105,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 75,000 |
| SI1012CR-T1-GE3 | 66,000 |
| JMSL1020AGDQ-13 | 50,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SPP20N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 227W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥8.086
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113 | 对比 |
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