STP35N60DM2 与 FCP104N60F 区别
| 型号 | STP35N60DM2 | FCP104N60F |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP35N60DM2 | A-FCP104N60F |
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 28A TO220 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 104m Ohms@18.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 357W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 |
| 连续漏极电流Id | - | 37A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HiPerFET™,Polar™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 145nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP35N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPP60R099P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 37.9A 89mΩ 20V 278W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPP60R099P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 N-Channel 117W 99mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C ±20V 600V 31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPP60R099P6XKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-220-3 -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FCP104N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FCP125N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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