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STT6N3LLH6  与  DMN3033LDM-7  区别

型号 STT6N3LLH6 DMN3033LDM-7
唯样编号 A3-STT6N3LLH6 A-DMN3033LDM-7
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 33mΩ@6.9A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT SOT-26
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
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