RH6P040BHTB1 与 ISZ230N10NM6 区别
| 型号 | RH6P040BHTB1 | ISZ230N10NM6 | ||||||
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| 唯样编号 | A32-RH6P040BHTB1 | A-ISZ230N10NM6 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 FL | ||||||
| 连续漏极电流Id | 40A | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.6mΩ@40A,10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RH6P040BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥6.6765
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100 | 当前型号 | ||||||||
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BSZ440N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100V 18A 44mΩ@12A,10V ±20V 29W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||
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BSZ146N10LS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 20.8mΩ N-Channel 1.1V,2.3V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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ISZ230N10NM6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8 FL |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSZ160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 40A 14mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSZ340N08NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
80V 23A 34mΩ@12A,10V 20V 32W -55°C~150°C PG-TSDSON-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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