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功率MOSFET   3.3mm

图像仅供参考 请参阅产品规格

制造商编号 BSZ440N10NS3 G
商品别名 BSZ440N10NS3GATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BSZ440N10NS3 G
供货 唯样自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
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商品目录 功率MOSFET
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 50V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds 100V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 12µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.1nC @ 10V
通道数量 1Channel
连续漏极电流Id 18A
Rds On(Max)@Id,Vgs 38mΩ
栅极电压Vgs 20V
Qg-栅极电荷 9.1nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 29W
高度 1.10mm
长度 3.3mm
系列 OptiMOS3
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 8S
下降时间 2ns
上升时间 1.8ns
典型关闭延迟时间 9.1ns
典型接通延迟时间 4.3ns
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