RQ3E150GNTB 与 AON6426 区别
| 型号 | RQ3E150GNTB | AON6426 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RQ3E150GNTB | A-AON6426 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 230 | ||||||||||
| 上升时间 | 5.8ns | - | ||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 7.5mΩ | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 15.3nC | - | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 11 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 13.5S | - | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 8.1 | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | DFN 5x6 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 15A | 65A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1930 | ||||||||||
| 下降时间 | 7.8ns | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 6.1mΩ@15A,10V | 5.5mΩ@10V | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 14 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 29 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 42W | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 40 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 2.5 | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 34.4ns | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 11.6ns | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 290 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 18 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E150GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
15A 2W 6.1mΩ@15A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥7.6248
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON6368 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V |
￥2.5385
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON6596 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 35A 41W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.5128
|
2,859 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON6426 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 65A 42W 5.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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