RS1E180BNTB 与 CSD17310Q5A 区别
| 型号 | RS1E180BNTB | CSD17310Q5A | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS1E180BNTB-1 | A36-CSD17310Q5A | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | TI | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | - | 3.1W(Ta) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | +10V,-8V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (SINGLE | 8-PowerTDFN | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 21A(Ta),100A(Tc) | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 3V,8V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.8V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1560pF @ 15V | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 5.1 毫欧 @ 20A,8V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11.6nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,600 | 887 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS1E180BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
HSOP8 (SINGLE |
￥6.3422
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2,600 | 当前型号 | ||||||||||
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CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥3.672
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887 | 对比 |
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