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功率MOSFET   N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN

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制造商编号 CSD17310Q5A
制 造 商 TI(德州仪器)
唯样编号 A36-CSD17310Q5A
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN
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N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥3.672 

阶梯数 价格
20: ¥3.672
100: ¥3.06
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HSOP8 (SINGLE

¥6.3422 

阶梯数 价格
100: ¥6.3422
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1,000: ¥5.4158
2,500: ¥4.4894
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HSOP8 (SINGLE

¥4.1876 

阶梯数 价格
40: ¥4.1876
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100: ¥3.1622
300: ¥2.7694
500: ¥2.6831
1,000: ¥2.6256
1,500 对比
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HSOP8 (SINGLE

暂无价格 80 对比
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±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
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30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 21A(Ta),100A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V
栅极电压Vgs +10V,-8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 15V
功率 3.1W(Ta)
导通电阻Rds(On) 5.1 毫欧 @ 20A,8V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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