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CSD17310Q5A  与  IRFH5304TRPBF  区别

型号 CSD17310Q5A IRFH5304TRPBF
唯样编号 A36-CSD17310Q5A A-IRFH5304TRPBF
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 3.6W(Ta),46W(Tc)
功率 3.1W(Ta) -
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs +10V,-8V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 21A(Ta),100A(Tc) 22A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,8V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 15V 2360pF @ 10V
导通电阻Rds(On) 5.1 毫欧 @ 20A,8V 4.5mΩ@47A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V 41nC @ 10V
库存与单价
库存 887 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.672
100+ :  ¥3.06
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17310Q5A TI  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥3.672 

阶梯数 价格
20: ¥3.672
100: ¥3.06
887 当前型号
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HSOP8 (SINGLE

¥6.3422 

阶梯数 价格
100: ¥6.3422
500: ¥5.9146
1,000: ¥5.4158
2,500: ¥4.4894
2,600 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HSOP8 (SINGLE

¥4.1876 

阶梯数 价格
40: ¥4.1876
50: ¥3.7659
100: ¥3.1622
300: ¥2.7694
500: ¥2.6831
1,000: ¥2.6256
1,500 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HSOP8 (SINGLE

暂无价格 80 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC0906NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8

暂无价格 0 对比

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