RS6P100BHTB1 与 BSC035N10NS5 区别
| 型号 | RS6P100BHTB1 | BSC035N10NS5 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS6P100BHTB1-0 | A-BSC035N10NS5 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-PowerTDFN | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | 156W | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 100A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 5.9mΩ@90A,10V | 3.5mΩ@50A,10V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥24.2322
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100 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.64
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6,349 | 对比 | ||||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
￥6.666
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2,990 | 对比 | ||||||||||||
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SI4100DY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.8A(Tc) N-Channel 63 mOhms @ 4.4A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥5.291
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2,300 | 对比 |
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