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RS6P100BHTB1  与  SI4058DY-T1-GE3  区别

型号 RS6P100BHTB1 SI4058DY-T1-GE3
唯样编号 A32-RS6P100BHTB1-0 A36-SI4058DY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
功率耗散Pd 104W 5.6W(Tc)
连续漏极电流Id 100A 10.3A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
漏源极电压Vds 100V 100V
Vgs(最大值) - ±20V
导通电阻Rds(On) 5.9mΩ@90A,10V 26 mOhms @ 10A,10V
Vgs(th) - 2.8V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 100 6,349
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥24.2322
10+ :  ¥21.6358
25+ :  ¥19.3178
50+ :  ¥17.248
100+ :  ¥15.4
20+ :  ¥2.64
100+ :  ¥2.024
1,250+ :  ¥1.76
2,500+ :  ¥1.694
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

¥24.2322 

阶梯数 价格
1: ¥24.2322
10: ¥21.6358
25: ¥19.3178
50: ¥17.248
100: ¥15.4
100 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A

暂无价格 0 对比
SIR606BDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 MOSFET

PowerPAKSO-8

暂无价格 9,000 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.64 

阶梯数 价格
20: ¥2.64
100: ¥2.024
1,250: ¥1.76
2,500: ¥1.694
6,349 对比
SIR606BDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 MOSFET

PowerPAKSO-8

¥6.666 

阶梯数 价格
8: ¥6.666
100: ¥5.555
750: ¥5.148
1,500: ¥4.895
2,990 对比
SI4100DY-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6.8A(Tc) N-Channel 63 mOhms @ 4.4A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥5.291 

阶梯数 价格
10: ¥5.291
100: ¥4.411
1,250: ¥4.015
2,300 对比

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