RUR040N02TL 与 DMG2302U-7 区别
| 型号 | RUR040N02TL | DMG2302U-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RUR040N02TL-1 | A-DMG2302U-7 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | N-Channel 20 V 90 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -SOT-23-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35mΩ@4A,4.5V | 90mΩ@3.6A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 800mW(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±8V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SC-96 | SOT-23 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | 4.2A |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 594.3pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 7nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.5V,4.5V | 2.5V,4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 680pF @ 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C |
¥1.3101
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6,000 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML6244TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO3420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C |
¥0.641
|
2,689 | 对比 | ||||||||||||
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AO3414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C |
¥0.3846
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476 | 对比 | ||||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
暂无价格 | 5 | 对比 |