首页 > 商品目录 > > > > RUR040N02TL代替型号比较

RUR040N02TL  与  IRLML6244TRPBF  区别

型号 RUR040N02TL IRLML6244TRPBF
唯样编号 A32-RUR040N02TL-1 A-IRLML6244TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.9 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@4A,4.5V 21mΩ@6.3A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±10V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SC-96 Micro3™/SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A(Ta) 6.3A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 10V 700pF @ 16V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V 8.9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 7 - 14天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
AO3416 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C

¥1.3101 

阶梯数 价格
480: ¥1.3101
1,000: ¥1.0309
1,500: ¥0.8062
3,000: ¥0.6288
6,000 对比
IRLML6244TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
AO3420 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C

¥0.641 

阶梯数 价格
1: ¥0.641
100: ¥0.5102
1,000: ¥0.3676
1,500: ¥0.3165
3,000: ¥0.25
2,689 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.3846 

阶梯数 价格
1: ¥0.3846
100: ¥0.3061
1,000: ¥0.2206
1,500: ¥0.1899
3,000: ¥0.15
476 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

暂无价格 5 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售